63-3028-67　［取扱停止］MOSFET　P-CH　-30V　-12A　8-SOIC　AO4407A

仕様

• FETタイプ：MOSFET　Pチャンネル
• FET機能：論理レベルゲート
• ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V
• 電流　-　25°C時の連続ドレイン（Id）：12A
• Id、Vgs印加時のRds　On（最大）：11ミリオーム　@　12A、20V
• Id印加時のVgs（th）（最大）：3V　@　250μA
• Vgs印加時のゲート電荷（Qg）：39nC　@　10V
• Vds印加時の入力容量（Ciss）：2600pF　@　15V
• 電力　-　最大：3.1W
• 実装タイプ：面実装
• ：8ピンSOIC（0.154インチ、3.90mm　幅）
• サプライヤデバイスパッケージ：8-SOIC