63-3016-69 ［取扱停止］4M High Speed SRAM （512-kword×8-bit） R1RW0408DGE-2PI#B0
[Renesas Electronics]
仕様
- 容量（Kビット）：4000
- 容量（kword）：512
- 語構成（bit）：x 8
- パッケージ：SOJ（36）
- アクセス時間（ns）：12
- 電源電圧（V）：3.0～3.6
- 動作周囲温度（℃）：-40～85
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3016-70
4M High Speed SRAM （512-kword×8-bit）
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63-3016-65
4M High Speed SRAM（256-kword×16-bit）
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63-3016-66
4M High Speed SRAM（256-kword×16-bit）
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63-3016-69
4M High Speed SRAM （512-kword×8-bit）
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63-3016-71
4M High Speed SRAM （256-kword×16-bit）
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63-3016-67
4M High Speed SRAM（256-kword×16-bit）
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63-3016-62
4M High Speed SRAM（512-kword×8-bit）
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63-3016-63
4M High Speed SRAM（512-kword×8-bit）
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63-3016-64
4M High Speed SRAM（512-kword×8-bit）
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63-3016-68
4M High Speed SRAM （512-kword×8-bit）
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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