仕様

• シリーズHEXFET
• FETタイプNチャンネル
• 技術MOSFET（金属酸化物）
• ドレイン～ソース間電圧（Vdss）100V
• 電流　-　25°Cでの連続ドレイン（Id）17A（Tc）
• 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）10V
• Id印加時のVgs（th）（最大）4V　@　250μA
• Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）37nC　@　10V
• Vgs（最大）±20V
• Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）920pF　@　25V
• FET機能-
• 消費電力（最大）70W（Tc）
• Id、Vgs印加時のRds　On（最大）90ミリオーム　@　9A、10V
• 動作温度-55°C～175°C（TJ）
• 実装タイプスルーホール
• サプライヤデバイスパッケージTO-220AB
• パッケージ/ケースTO-220-3