仕様
- シリーズ-
- 駆動構成ハーフブリッジ
- チャンネルタイプ独立
- ドライバ数2
- ゲートタイプIGBT、NチャンネルMOSFET
- 電圧 - 供給3.3 V～20 V
- 論理電圧 - VIL、VIH6V、9.5V
- 電流 - ピーク出力（ソース/シンク）2A、2A
- 入力タイプ非反転
- ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）600V
- 立ち上がり/立ち下がり時間（標準）25ns、17ns
- 動作温度-40°C～150°C（TJ）
- 実装タイプスルーホール
- パッケージ/ケース14-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- サプライヤデバイスパッケージ14-DIP
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|