仕様

• シリーズHEXFET
• FETタイプNおよびPチャンネル
• FET機能標準
• ドレイン～ソース間電圧（Vdss）30V
• 電流　-　32°Cでの連続ドレイン（Id）-
• Id、Vgs印加時のRds　On（最大）29ミリオーム　@　5.8A、10V
• Id印加時のVgs（th）（最大）1V　@　250μA
• Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）33nC　@　10V
• Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）650pF　@　25V
• 電力　-　最大2W
• 動作温度-55°C～150°C（TJ）
• 実装タイプ面実装
• パッケージ/ケース8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
• サプライヤデバイスパッケージ8-SO