仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNおよびPチャンネル
- FET機能標準
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）30V
- 電流 - 32°Cでの連続ドレイン（Id）-
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）29ミリオーム @ 5.8A、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）1V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）33nC @ 10V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）650pF @ 25V
- 電力 - 最大2W
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- パッケージ/ケース8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- サプライヤデバイスパッケージ8-SO
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|