インフィニオン

63-3015-35 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3  IPD80R1K0CE

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仕様

  • シリーズCoolMOS CE
  • FETタイプNチャンネル
  • 技術MOSFET(金属酸化物)
  • ドレイン~ソース間電圧(Vdss)800V
  • 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)5.7A(Tc)
  • 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
  • Id印加時のVgs(th)(最大)3.9V @ 250μA
  • Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)31nC @ 10V
  • Vgs(最大)±20V
  • Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)785pF @ 100V
  • FET機能-
  • 消費電力(最大)83W(Tc)
  • Id、Vgs印加時のRds On(最大)950ミリオーム @ 3.6A、10V
  • 動作温度-55°C~150°C(TJ)
  • 実装タイプ面実装
  • サプライヤデバイスパッケージPG-TO252-3
  • パッケージ/ケースTO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63

アズワン品番 63-3015-35
型番 IPD80R1K0CE
JANコード 2500000246593
標準価格 330円(税抜)
WEB価格
入り数 1個
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