仕様
- シリーズCoolMOS CE
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）800V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）5.7A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）3.9V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）31nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）785pF @ 100V
- FET機能-
- 消費電力（最大）83W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）950ミリオーム @ 3.6A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-TO252-3
- パッケージ/ケースTO-252-3、DPak（2リード + タブ）、SC-63
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3015-34
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
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63-3015-35
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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