63-3015-32 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 IPB025N10N3G
仕様
- シリーズOptiMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）100V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）180A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）6V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）3.5V @ 275μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）206nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）14800pF @ 50V
- FET機能-
- 消費電力（最大）300W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）2.5ミリオーム @ 100A、10V
- 動作温度-55°C～175°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-TO263-7
- パッケージ/ケースTO-263-7、D2Pak（6リード + タブ）
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| アズワン品番 | 商品名 | 型番 | 入り数 | 標準価格 （税抜） |
WEB価格 （税抜） |
アズワン在庫[?] [サプライヤ在庫] |
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| 63-3015-31 |
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 IPB020N10N5
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IPB020N10N5 | 1個 | 1,230円 |  |
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| 63-3015-32 |
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 IPB025N10N3G
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IPB025N10N3G | 1個 | 1,310円 | |
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| 63-3015-33 |
［取扱停止］MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 IPB065N15N3G
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IPB065N15N3G | 1個 | 1,350円 | - |
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