仕様
- シリーズSIPMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）200V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）660mA（Ta）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）0V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）1V @ 400μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）14nC @ 5V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）430pF @ 25V
- FET機能デプリーションモード
- 消費電力（最大）1.8W（Ta）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）1.8オーム @ 660mA、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-SOT223-4
- パッケージ/ケースTO-261-4、TO-261AA
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3015-13
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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63-3015-14
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
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63-3015-15
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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