仕様

• シリーズSIPMOS
• FETタイプNチャンネル
• 技術MOSFET（金属酸化物）
• ドレイン～ソース間電圧（Vdss）600V
• 電流　-　25°Cでの連続ドレイン（Id）120mA（Ta）
• 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
• Id印加時のVgs（th）（最大）2.3V　@　94μA
• Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）6.6nC　@　10V
• Vgs（最大）±20V
• Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）150pF　@　25V
• FET機能-
• 消費電力（最大）1.8W（Ta）
• Id、Vgs印加時のRds　On（最大）45オーム　@　120mA、10V
• 動作温度-55°C～150°C（TJ）
• 実装タイプ面実装
• サプライヤデバイスパッケージPG-SOT223-4
• パッケージ/ケースTO-261-4、TO-261AA