63-3015-10 MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 BSC093N04LSG
仕様
- シリーズOptiMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）40V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）13A（Ta）、49A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）2V @ 14μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）24nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）1900pF @ 20V
- FET機能-
- 消費電力（最大）2.5W（Ta）、35W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）9.3ミリオーム @ 40A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-TDSON-8
- パッケージ/ケース8-PowerTDFN
