仕様

• シリーズOptiMOS
• FETタイプNチャンネル
• 技術MOSFET（金属酸化物）
• ドレイン～ソース間電圧（Vdss）40V
• 電流　-　25°Cでの連続ドレイン（Id）24A（Ta）、100A（Tc）
• 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
• Id印加時のVgs（th）（最大）2V　@　49μA
• Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）85nC　@　10V
• Vgs（最大）±20V
• Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）6800pF　@　20V
• FET機能-
• 消費電力（最大）2.5W（Ta）、83W（Tc）
• Id、Vgs印加時のRds　On（最大）2.7ミリオーム　@　50A、10V
• 動作温度-55°C～150°C（TJ）
• 実装タイプ面実装
• サプライヤデバイスパッケージPG-TDSON-8
• パッケージ/ケース8-PowerTDFN