仕様
- シリーズOptiMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）40V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）38A（Ta）、100A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）2V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）95nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）6800pF @ 20V
- FET機能-
- 消費電力（最大）2.5W（Ta）、139W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）1ミリオーム @ 50A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-TDSON-8 FL
- パッケージ/ケース8-PowerTDFN
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3015-10
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
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63-3015-05
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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63-3015-04
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
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63-3015-01
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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63-3015-03
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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63-3015-09
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
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63-3015-02
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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63-3015-07
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
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63-3015-06
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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63-3015-08
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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