仕様
- シリーズOptiMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）150V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）50A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）8V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）4V @ 90μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）31nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）1820pF @ 75V
- FET機能-
- 消費電力（最大）150W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）20ミリオーム @ 50A、10V
- 動作温度-55°C～175°C（TJ）
- 実装タイプスルーホール
- サプライヤデバイスパッケージPG-TO-220-3
- パッケージ/ケースTO-220-3
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3014-85
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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63-3014-86
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
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63-3014-87
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
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63-3014-88
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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