仕様
- シリーズOptiMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）100V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）100A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）6V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）3.5V @ 150μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）117nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）8410pF @ 50V
- FET機能-
- 消費電力（最大）214W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）4.2ミリオーム @ 50A、10V
- 動作温度-55°C～175°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージD2PAK（TO-263AB）
- パッケージ/ケースTO-263-3、D2Pak（2リード + タブ）、TO-263AB
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3014-76
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
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63-3014-79
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
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63-3014-77
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
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63-3014-78
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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