仕様
- シリーズSIPMOS
- FETタイプPチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）60V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）1.9A（Ta）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）2V @ 460μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）20nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）460pF @ 25V
- FET機能-
- 消費電力（最大）1.8W（Ta）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）300ミリオーム @ 1.9A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-SOT223-4
- パッケージ/ケースTO-261-4、TO-261AA
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3014-67
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
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63-3014-70
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
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63-3014-71
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
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63-3014-68
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
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63-3014-72
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
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63-3014-69
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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