仕様
- シリーズOptiMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）80V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）11A（Ta）、55A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）6V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）3.5V @ 33μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）25nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）1870pF @ 40V
- FET機能-
- 消費電力（最大）2.5W（Ta）、66W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）12.3ミリオーム @ 33A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-TDSON-8
- パッケージ/ケース8-PowerTDFN
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3014-55
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
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63-3014-56
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
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63-3014-57
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
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63-3014-64
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
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63-3014-63
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
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63-3014-62
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
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63-3014-61
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
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63-3014-59
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
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63-3014-58
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
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63-3014-65
MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
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63-3014-66
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
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63-3014-60
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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