仕様

• シリーズ-
• 駆動構成ハイサイド
• チャンネルタイプシングル
• ドライバ数1
• ゲートタイプIGBT、NチャンネルMOSFET
• 電圧　-　供給0　V～18　V
• 論理電圧　-　VIL、VIH0.8V、2.2V
• 電流　-　ピーク出力（ソース/シンク）1.6A、3.3A
• 入力タイプ非反転
• ハイサイド電圧　-　最大（ブートストラップ）500V
• 立ち上がり/立ち下がり時間（標準）43ns、26ns
• 動作温度-40°C～150°C（TJ）
• 実装タイプスルーホール
• パッケージ/ケース8-DIP（0.300インチ、7.62mm）
• サプライヤデバイスパッケージ8-DIP