仕様
- シリーズSIPMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）60V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）2.6A（Tj）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）2V @ 20μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）20nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）380pF @ 25V
- FET機能-
- 消費電力（最大）1.8W（Ta）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）90ミリオーム @ 2.6A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-SOT223-4
- パッケージ/ケースTO-261-4、TO-261AA
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|