仕様
- シリーズ-
- 駆動構成ハーフブリッジ
- チャンネルタイプ独立
- ドライバ数2
- ゲートタイプIGBT、NチャンネルMOSFET
- 電圧 - 供給10 V～20 V
- 論理電圧 - VIL、VIH0.7V、2.3V
- 電流 - ピーク出力（ソース/シンク）290mA、600mA
- 入力タイプ非反転
- ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）600V
- 立ち上がり/立ち下がり時間（標準）70ns、35ns
- 動作温度-40°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- パッケージ/ケース8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- サプライヤデバイスパッケージ8-SOIC
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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