仕様

• シリーズHEXFET
• FETタイプNチャンネル
• 技術MOSFET（金属酸化物）
• ドレイン～ソース間電圧（Vdss）20V
• 電流　-　25°Cでの連続ドレイン（Id）49A（Ta）、100A（Tc）
• 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）2.5V、10V
• Id印加時のVgs（th）（最大）1.1V　@　150μA
• Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）230nC　@　4.5V
• Vgs（最大）±12V
• Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）10890pF　@　10V
• FET機能-
• 消費電力（最大）3.6W（Ta）、156W（Tc）
• Id、Vgs印加時のRds　On（最大）0.95ミリオーム　@　50A、10V
• 動作温度-55°C～150°C（TJ）
• 実装タイプ面実装
• サプライヤデバイスパッケージPQFN（5x6）
• パッケージ/ケース8-PowerVDFN