仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNおよびPチャンネル
- FET機能論理レベルゲート
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）30V
- 電流 - 29°Cでの連続ドレイン（Id）2.7A、2A
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）110ミリオーム @ 1.7A、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）1V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）12nC @ 10V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）210pF @ 25V
- 電力 - 最大1.25W
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- パッケージ/ケース8-TSSOP、8-MSOP（0.118インチ、3.00mm幅）
- サプライヤデバイスパッケージMicro8
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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