仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）40V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）19A（Ta）、106A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）2.25V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）44nC @ 4.5V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）3765pF @ 20V
- FET機能-
- 消費電力（最大）2.8W（Ta）、89W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）5ミリオーム @ 19A、10V
- 動作温度-40°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージDIRECTFET MX
- パッケージ/ケースDirectFETアイソメトリックMX
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3014-16
MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
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63-3014-13
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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