仕様

• シリーズ-
• 駆動構成ハーフブリッジ
• チャンネルタイプ独立
• ドライバ数2
• ゲートタイプIGBT、NチャンネルMOSFET
• 電圧　-　供給10　V～20　V
• 論理電圧　-　VIL、VIH0.8V、2.7V
• 電流　-　ピーク出力（ソース/シンク）1.9A、2.3A
• 入力タイプ非反転
• ハイサイド電圧　-　最大（ブートストラップ）600V
• 立ち上がり/立ち下がり時間（標準）40ns、20ns
• 動作温度-40°C～150°C（TJ）
• 実装タイプ面実装
• パッケージ/ケース8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
• サプライヤデバイスパッケージ8-SOIC