仕様
- シリーズthinQ！
- ダイオードタイプシリコンカーバイドショットキー
- 電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）1200V
- 電流 - 平均整流（Io）5A（DC）
- 電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）1.8V @ 5A
- 速度回復時間なし ＆gt; 500mA（Io）
- 逆回復時間（trr）0ns
- 電流 - Vr印加時の逆方向漏れ33μA @ 1200V
- Vr、F印加時の静電容量301pF @ 1V、1MHz
- 実装タイプ面実装
- パッケージ/ケースTO-252-3、DPak（2リード + タブ）、SC-63
- サプライヤデバイスパッケージPG-TO252-2
- 動作温度 - ジャンクション-55°C～175°C
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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