仕様
- シリーズOptiMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）100V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）7.2A（Ta）、40A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）4V @ 43μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）17nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）1100pF @ 50V
- FET機能-
- 消費電力（最大）78W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）25.2ミリオーム @ 20A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-TDSON-8
- パッケージ/ケース8-PowerTDFN
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3013-88
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
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63-3013-89
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
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63-3013-87
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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63-3013-92
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
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63-3013-90
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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