60-9978-21　GZSC製 8インチ SiCインゴット MOS級4H-Nタイプ 12mm　GZSC-4N48-MOS-1

特徴

• 高品質なSiC（炭化ケイ素）インゴットです。
• 半導体材料として優れた熱伝導性・高耐圧特性・化学的安定性を備え、各種デバイスの基板材料として幅広くご利用いただけます。
• パワーエレクトロニクス、LED基板、各種研究用途などに適しています。

仕様

• グレード：MOS Production
• タイプ：4H
• 結晶方位：4°toward＜11-20＞±0.25o
• ドーパント：Nitrogen
• 抵抗率：0.015～0.025ohm・cm
• 直径：200.0±0.2mm
• 厚み：12±0.5mm
• 数量：1箱（一式）窒素真空パックパッケージ
• ※クリーン包装対応品のため、開梱後の返品対応はできかねます。
• 荷姿サイズ：320×320×200mm [荷姿サイズについて]