特徴
- GZSC製 SiCウェハは、パワー半導体用の基板として使用される 高純度・高品質な炭化ケイ素（SiC）素材です。
- SiC 単結晶の育成から仕上げ加工まで一貫したプロセスを有しています。
仕様
- グレード：MOS Production
- タイプ：4H
- 結晶方位：4°toward＜11-20＞±0.25o
- ドーパント：Nitrogen
- 抵抗率：0.015～0.025ohm・cm
- Notch結晶方位：＜1-100＞±2°
- Notch深さ：1～1.25mm
- Notch角角度：± 5°
- LTV：≤2μm（10mm*10mm）
- TTV：≤5μm
- Bow：≤ 15 μm
- Warp：≤25μm
- マイクロパイプ：≤ 0.1 /cm2
- 金属不純物（Al, Cr, Fe, Ni, Cu,Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn）：≤ 5E+10 atoms/cm2
- TSD：≤10/cm2
- BPD：≤500／cm2
- TED：≤3000／cm2
- 層欠陥：≤ 0.3％
- 表面仕上げ：Si 面 Ra≤ 0.15 nm,C 面 Ra≤ 0.5 nm
- スクラッチ：None permitted
- エッジ欠陥 チップ/インデント/ピンホール：None
- 表面粗さ（Si-face）：Si 面 Ra≤ 0.15 nm,C 面 Ra≤ 0.5 nm
- Laser marking：As per SEMI Standard
- 直径：200.0±0.2mm
- 厚み：500±50μm
- 数量：1箱（25枚入）窒素真空パックパッケージ
- ※クリーン包装対応品のため、開梱後の返品対応はできかねます。
- 荷姿サイズ：320×320×350mm [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
|---|---|
|
60-9978-20
GZSC製 8インチ SiCウエハ D級4H-Nタイプ 500um 25枚入
|
|
|
60-9978-17
GZSC製 8インチ SiCウエハ D級4H-Nタイプ 350um 25枚入
|
|
|
60-9978-18
GZSC製 8インチ SiCウエハ MOS級4H-Nタイプ 500um 25枚入
|
|
|
60-9978-19
GZSC製 8インチ SiCウエハ SBD級4H-Nタイプ 500um 25枚入
|
|
|
60-9978-15
GZSC製 8インチ SiCウエハ MOS級4H-Nタイプ 350um 25枚入
|
|
|
60-9978-16
GZSC製 8インチ SiCウエハ SBD級4H-Nタイプ 350um 25枚入
|
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|