特徴
- GZSC製 SiCウェハは、パワー半導体用の基板として使用される 高純度・高品質な炭化ケイ素（SiC）素材です。
- SiC 単結晶の育成から仕上げ加工まで一貫したプロセスを有しています。
仕様
- グレード：Production Grade-SBD
- タイプ：4H
- 結晶方位：4°toward＜11-20＞±0.25o
- ドーパント：Nitrogen
- 抵抗率：0.015～0.025ohm・cm
- 1次オリフラ：Parallel to ＜11-20＞±1°
- 1次オリフラ長さ：47.5±1.5mm
- 2次オリフラ：None
- LTV：≤2μm（10mm*10mm）
- TTV：≤5μm
- Bow：≤20μm
- Warp：≤30μm
- マイクロパイプ：≤0.1ea／cm2
- 炭素インクルージョン：≤0.2％
- 金属不純物（Al, Cr, Fe, Ni, Cu,Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn）：≤5E10atoms/cm2
- TSD：≤50ea/cm2
- BPD：≤1000ea／cm2
- TED：≤4000ea／cm2
- 表面仕上げ：両面研磨、Si 面：CMP、C 面：光学研磨
- 表面粗さ（Si-face）：Ra≤0.15nm ＆ C Face Ra≤ 0.5 nm
- Back laser marking：SEMI標準に準拠
- 直径：150.0±0.2mm
- 厚み：350±25μm
- 数量：1箱（25枚入）窒素真空パックパッケージ
- ※クリーン包装対応品のため、開梱後の返品対応はできかねます。
- 荷姿サイズ：280×280×260mm [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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60-9977-98
GZSC製 6インチ SiCウエハ MOS級4H-Nタイプ 350um 25枚入
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60-9978-04
GZSC製 6インチ SiCウエハ D級4H-Nタイプ 500um 25枚入
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60-9977-99
GZSC製 6インチ SiCウエハ SBD級4H-Nタイプ 350um 25枚入
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60-9978-03
GZSC製 6インチ SiCウエハ SBD級4H-Nタイプ 500um 25枚入
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60-9978-02
GZSC製 6インチ SiCウエハ MOS級4H-Nタイプ 500um 25枚入
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60-9978-01
GZSC製 6インチ SiCウエハ D級4H-Nタイプ 350um 25枚入
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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