60-8704-39　［取扱停止］HEXFET NchパワーMOSFET　IRFR024NTRPBF

特徴

• 55V/17AのHEXFET NチャネルパワーMOSFETです。実証済みのシリコンプロセスを利用することで、安定してDCモーターやインバータ、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動アプリケーションなどに使用できます。
• 100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適
• 広いSOAを実現するプレーナーセル構造を採用
• 業界標準の表面実装型パワーパッケージを採用

仕様

• ID (最大ドレイン電流) @25℃：17A(max)
• MSL：1
• 実装：SMD
• 動作温度：－55℃～＋175℃
• Ptot(許容損失)：38W(max)
• パッケージ：DPAK(TO-252)
• 極性：マイナス
• QG(トータルゲート電荷量) @10V：13.3nC(typ)
• Qgd(ゲート-ドレイン間電荷量)：5.1nC
• RDS(on)(オン抵抗) @10V：75mΩ(max)
• RthJC(熱抵抗)：3.3K/W(max)
• Tj：＋175℃(max)
• VDS(ドレイン-ソース間電圧)：55V(max)
• VGS(th)(ゲート閾値電圧)：2V、3V、4V
• VGS(ゲート-ソース間電圧)：20V(max)