60-8704-18　［取扱停止］Nチャネル パワーMOSFET　IRFR18N15DTRRPBF

特徴

• 的なアバランシェ特性を持つ
• スイッチング損失を低減する低ゲート-ドレイン電荷チャージ
• 設計を簡素化する実効出力容量
• RoHS対応

仕様

• ID(25℃)：18A
• MSL：1
• 実装：表面実装
• Ptot：110W(max)
• パッケージ：DPAK (TO-252)
• 極性：Nチャネル
• QG(10V)：28nC(typ)
• Qgd：14nC
• RDS(on)(10V)：125mΩ(max)
• RthJC：1.4K/W(max)
• Tj：175℃(max)
• VDS：150V(max)
• VGS(th)：3.0V(min)/5.5V(max)
• VGS：30V(max)