60-8703-71 バイポーラトランジスタ（シリコンPNPエピタキシャル形 PCT方式 バイアス抵抗内蔵） RN2102.LF
[TOSHIBA CORPORATION]
特徴
- バイアス抵抗を内蔵したバイポーラトランジスタ
- 東芝のPCT(Perfect Crystal Technology)技術を採用したシリコンPNPエピタキシャル形トランジスタです。スイッチング、インバータ回路、インターフェース、ドライバー回路などに最適です。
- AEC-Q101適合
- バイアス抵抗を内蔵し、部品点数の削減による機器の小型化、組み立ての省力化が可能
- 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえています。
- RN1102とコンプリメンタリ
仕様
- 用途：汎用
- 極性：PNP
- ベース直列抵抗：10kΩ(typ)
- ベース-エミッタ間抵抗：10kΩ(typ)
- コレクタ電流 IC：－0.1A
- コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO：－50V
- 内部接続：シングル品
- コンプリメンタリ品形名：RN1102
- AEC-Q101：適合
- 東芝パッケージ名：SOT-416(SSM)
- JEITA：SC-75
- パッケージコード：SOT-416
- ピン数：3
- 実装区分：表面実装
- パッケージ寸法：1.6×1.6×0.7mm
