特徴
- IGBT MODULE DUAL N CH 1.2KV 100A
仕様
- Transistor Polarity：Dual N Channel
- DC Collector Current：100A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)：3.3V
- Power Dissipation Pd：-
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo：1.2kV
- Transistor Case Style：Module
- No. of Pins：7Pins
- Operating Temperature Max：150℃
- Product Range：-
- SVHC：No SVHC (15-Jun-2015)
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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