特徴
- 4H-N型単結晶SiC（炭化ケイ素）基板
- 低比抵抗（0.014～0.028Ω・cm）でパワーデバイス用途に適しています
- マイクロパイプ密度5個／cm2以下の低欠陥基板
- Si面CMP仕上げ（Ra≦0.2nm）、C面ミラーポリッシュ仕上げにより、高品質な表面状態を実現
- 優れた耐熱性・高耐圧特性・高熱伝導率を有し、高出力デバイスの研究開発に適しています
- エピタキシャル成長、各種半導体プロセス、評価用途に対応
仕様
- 商品説明
- 研究・開発用途に適した4H-N型単結晶SiC（炭化ケイ素）基板です。パワー半導体、エピタキシャル成長、各種デバイス評価などの用途にご使用いただけます。
- 仕様
- サイズ：10mm×10mm
- 厚み：350±25μm（公差別途）
- ポリタイプ：4H-SiC
- 導電型：N型（窒素ドープ）
- 比抵抗：0.014～0.028Ω・cm
- マイクロパイプ密度（MPD）：5個／cm2以下
- オフ角：4° toward ＜11-20＞ ±0.5°
- 表面仕上げ：Si面 CMP（Ra≦0.2nm）、C面 ミラーポリッシュ（Ra≦0.5nm）
- 特徴
- ・4H-N型単結晶SiC基板
- ・高品質CMP研磨仕上げ
- ・低マイクロパイプ密度で研究・開発用途に最適
- ・パワーデバイス、エピ成長、評価用基板として使用可能
- 用途例
- ・SiCパワー半導体の研究・開発
- ・エピタキシャル成長用基板
- ・各種デバイス試作・評価
- ・大学・研究機関での実験・評価
- ・半導体プロセス評価
- 荷姿サイズ：300×300×150mm 0.50kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
|---|---|
|
55-0475-86
SIC（炭化珪素）10mm×10mm 4H-N 2枚 炭化ケイ素
|
|
|
55-0475-85
SIC（炭化珪素）10mm×10mm 4H-N 1枚 炭化ケイ素
|
|
|
55-0475-92
SIC（炭化珪素）10mm×10mm 4H-N 50枚 炭化ケイ素
|
|
|
55-0475-91
SIC（炭化珪素）10mm×10mm 4H-N 30枚 炭化ケイ素
|
|
|
55-0475-87
SIC（炭化珪素）10mm×10mm 4H-N 3枚 炭化ケイ素
|
|
|
55-0475-90
SIC（炭化珪素）10mm×10mm 4H-N 20枚 炭化ケイ素
|
|
|
55-0475-88
SIC（炭化珪素）10mm×10mm 4H-N 5枚 炭化ケイ素
|
|
|
55-0475-89
SIC（炭化珪素）10mm×10mm 4H-N 10枚 炭化ケイ素
|
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|