特徴
- 高熱伝導率（170W／（m・K）以上）により、発熱部品の効率的な放熱が可能
- 優れた電気絶縁性を有し、高電圧・高周波用途にも適しています
- シリコンに近い熱膨張係数により、熱応力を抑制し接合信頼性の向上に貢献
- 高い機械的強度と耐摩耗性を備え、耐久性に優れています
- 高温環境下でも安定した特性を維持し、過酷な使用条件にも対応
- 半導体・電子部品・放熱用途・研究開発用途に適した高性能セラミック基板
仕様
- 商品説明
- 高い熱伝導率と優れた電気絶縁性を兼ね備えた窒化アルミニウム（AlN）セラミック基板です。シリコンに近い熱膨張係数を有しているため、半導体デバイスとの熱応力を低減でき、高出力・高発熱用途に適しています。電子部品の放熱基板や各種評価・研究用途に幅広くご使用いただけます。
- 仕様
- 窒化アルミニウ板（AlN）セラミック
- サイズ（mm）：30×30±0.1
- ウェハー厚（mm）：1.0±0.05
- 密度：3.33g／cm3
- 曲げ強度：550MPa
- 熱伝導率：170W／（m・K）超
- 熱膨張係数：3.4×10⁻⁶／K
- ビッカース硬度：1100HV
- 破壊靭性：3MPa・m1ᐟ2
- 特長
- ・高い熱伝導率により、発熱部品の効率的な放熱が可能
- ・優れた電気絶縁性を有し、高電圧用途にも対応
- ・シリコンに近い熱膨張係数で熱応力を低減
- ・高い機械的強度・耐摩耗性を備え、耐久性に優れる
- ・高温環境下でも安定した特性を維持
- ・半導体・電子部品・研究開発用途に適したセラミック基板
- 用途例
- ・パワー半導体の放熱基板
- ・LEDモジュール・レーザーダイオード用基板
- ・高周波（RF）・高出力電子デバイス
- ・各種センサー・MEMSデバイス
- ・電子部品・実装評価用基板
- 荷姿サイズ：300×300×150mm 0.50kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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