55-0475-09　4インチサファイアウェハ（単結晶基板）C面（0001）片面ポリッシュ100枚

仕様

• 商品説明
• 高品質な単結晶サファイア（Al₂O₃）を使用した2インチサファイア基板です。優れた機械的強度、耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性を備えており、LED・半導体・光学用途など幅広い分野でご使用いただけます。片面ポリッシュ仕上げのため、薄膜成膜や各種プロセス基板としても適しています。
• 仕様
• 4インチサファイア基板
• 直径：100.0± 0.5mm
• 厚み：650±25μm
• 面方位：C面[0001] to M（1-100）0.2°±0.1°
• OF長さ：30.0±1mm
• TTV：≦10μm
• BOW：≦15μm
• WARP：≦15μm
• 面状態：片面ポリッシュ
• 特長
• 高純度単結晶サファイア基板
• 優れた耐熱性・耐薬品性・耐摩耗性
• 高い電気絶縁性を有し、高温環境でも安定した特性を維持
• 可視光から赤外域まで高い透過率を有する光学材料
• 両面ポリッシュ仕上げにより、成膜・フォトリソグラフィ・エッチングなど各種プロセスに対応
• 用途例
• GaN系LED・レーザーダイオード用基板
• GaN、AlNなど化合物半導体のエピタキシャル成長用基板
• MEMS・センサー開発
• 光学部品・光学窓材
• RFデバイス・高周波デバイスの研究開発
• 各種成膜、エッチング、フォトリソグラフィ評価用基板
• 荷姿サイズ：300×300×150mm　0.50kg [荷姿サイズについて]