55-0473-49　20mm×20mm Si（シリコン）厚み：625μm [P（100）,≧1000Ω,] 片面ミラー80枚 ダイシング チップ 角基板

特徴

• 半導体グレードの高抵抗シリコン基板です。
• 比抵抗1000Ω・cm以上の高抵抗基板のため、リーク電流の低減や電気特性評価などの用途に適しています。
• 面方位〈100〉、ミラー面／エッチド面仕様で、各種半導体プロセスや研究開発にご使用いただけます。
• TTVの高い平坦性により、成膜、フォトリソグラフィ、MEMSプロセスなどに対応します。
• ご要望に応じて、ウェハ厚み、比抵抗、熱酸化膜付き、両面ミラー仕様などの特注対応が可能です。

仕様

• サイズ（mm）：20×20
• ウェハー厚（μm）：625±25μm
• 導電型：P型
• 面方位：100
• 抵抗値（Ω・cm）：≧1000
• 面状態：ミラー／エッチド
• TTV（μm）：≦10
• ※特注対応品
• 両面ミラー品、高抵抗品、熱酸化膜付き品など取り扱っておりますので気になる商品など御座いましたらお気軽にお問合せ下さいませ。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• その他シリコンウェーハ、SICウェーハ、成膜ウェーハなど多種取り扱いを行っております。
• ※特注対応での受注の場合は別途調整が必要になります
• 荷姿サイズ：300×300×150mm　0.50kg [荷姿サイズについて]