55-0472-89　20mm×20mm Si（シリコン）熱酸化膜：300nm 厚み：625μm [P（100）,1-100Ω,] 片面ミラー50枚 ダイシング チップ 角基板

特徴

• 半導体グレードのシリコン基板を使用した5mm角の小型基板です。
• 表面に300nmの熱酸化膜を形成しており、絶縁膜付き基板として各種研究・開発用途にご使用いただけます。
• ミラー面／エッチド面仕様のため、表裏の識別が容易です。
• P型〈100〉基板、抵抗率1～100Ω・cmを採用し、幅広い実験・評価用途に対応します。
• 高い平坦性により、成膜・フォトリソ・MEMSなどの各種プロセスに適しています。
• ご要望に応じて、熱酸化膜厚、基板厚み、比抵抗、両面ミラー仕様、高抵抗品などの特注対応も可能です。

仕様

• サイズ（mm）：20×20
• ウェハー厚（μm）：625±25μm
• 導電型：P型
• 面方位：100
• 抵抗値（Ω・cm）：1～100
• 面状態：ミラー／エッチド
• TTV（μm）：≦10
• 熱酸化膜：300nm±10％
• ※特注対応品
• 両面ミラー品、高抵抗品、熱酸化膜付き品など取り扱っておりますので気になる商品など御座いましたらお気軽にお問合せ下さいませ。
• ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
• ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
• その他シリコンウェーハ、SICウェーハ、成膜ウェーハなど多種取り扱いを行っております。
• ※特注対応での受注の場合は別途調整が必要になります。
• 荷姿サイズ：300×300×150mm　0.50kg [荷姿サイズについて]