55-0239-33　MOS FETリレー　G3VM-21UV11

仕様

• 形式識別子：G3VM-21UV11
• 入力側 入力順電圧（VIN）：6 V
• 入力側 入力逆電圧（VRIN）：5 V
• 入力側 接合部温度（TJ）：125 ℃
• 出力側 負荷電圧（ピークAC／DC）（VOFF）：20 V
• 出力側 連続負荷電流（ピークAC／DC）（Io）：1000 mA
• 出力側 オン電流低減率（△Io／℃）：-10 mA／℃（Ta≧25℃）
• 出力側 パルスオン電流（IOP）：3000 mA（t=100ms, Duty=1／10）
• 出力側 接合部温度（TJ）：125 ℃
• 入出力間耐電圧（VI-O）：500 Vrms（AC1分間）
• 使用周囲温度（Ta）：-40～+110 ℃（氷結・結露のないこと）
• 保管温度（Tstg）：-40～+125 ℃
• はんだ付け温度条件：260 ℃（10s）
• 入力側 逆電流（IR）最大：10 μA（VR=5V）
• 入力側 端子間容量（CT）標準：30 pF（V=0、f=1MHz）
• 入力側 入力順電流（IF）標準：6.3 mA（VIN=5V）
• 入力側 動作電圧（VFON）標準：1.8 V（IO=100mA）
• 入力側 動作電圧（VFON）最大：3 V（IO=100mA）
• 入力側 復帰電圧（VFOFF）最小：0.8 V（IOFF=10μA）
• 入力側 復帰電圧（VFOFF）標準：1.8 V（IOFF=10μA）
• 出力側 最大出力オン抵抗（RON）標準：0.18 Ω（VIN=5V、t＜1s、IO=連続負荷電流定格値）
• 出力側 最大出力オン抵抗（RON）最大：0.22 Ω（VIN=5V、t＜1s、IO=連続負荷電流定格値）
• 出力側 開路時漏れ電流（ILEAK）最大：1 nA（VOFF=負荷電圧定格値）
• 出力側 端子間容量（COFF）標準：40 pF（V=0、f=100MHz、t＜1s）
• 入出力間容量（CI-O）標準：1 pF（f=1MHz、Vs=0V）
• 入出力間容量絶縁抵抗（RI-O）標準：108 MΩ（VI-O=500VDC、ROH≦60％）
• 動作時間（tON）最大：2 ms（VIN=5V、RL=200Ω、VDD=10V）
• 復帰時間（tOFF）最大：1 ms（VIN=5V、RL=200Ω、VDD=10V）
• 負荷電圧（ピークAC／DC）（VDD）最大：16 V
• 動作入力順電圧（VIN）最小：4 V
• 動作入力順電圧（VIN）標準：5 V
• 動作入力順電圧（VIN）最大：6 V
• 連続負荷電流（ピークAC／DC）（Io）最大：1000 mA
• 動作温度（Ta）最小：-20 ℃
• 動作温度（Ta）最大：85 ℃
• 形状：VSON（R）4
• 接点構成：1a
• 端子種類：サーフェス・マウント端子
• 負荷電圧（最大）*：60V
• 連続負荷電流（最大）*：400mA
• 梱包形態_個別_形式：形G3VM-61UV
• 梱包形態_個別_最小梱包単位（個）：1
• 梱包形態_テーピング_形式：形G3VM-61UV（TR05）
• 梱包形態_テーピング_最小梱包単位（個）：500