55-0239-32　MOS FETリレー 1箱(500個入)　G3VM-101ER1(TR05)

仕様

• 負荷電圧（最大）*：100V
• 端子タイプ：サーフェス・マウント端子
• 電流：タイプ1
• 梱包形態：テーピング梱包（500個／リール）
• 絶縁構造寸法_沿面距離：7.0 mm
• 絶縁構造寸法_空間距離：7.0 mm
• 絶縁物厚：0.4 mm
• 入力側_LED順電流：30 mA
• 入力側_繰り返しピークLED順電流：1 A（100μsパルス、100pps）
• 入力側_直流順電流低減率：-0.3 mA／℃（Ta≧25℃）
• 入力側_LED逆電圧：6 V
• 入力側_接合部温度：125 ℃
• 出力側_負荷電圧（ピークAC／DC）：100 V
• 出力側_連続負荷電流_A接続：3.5 A（A接続_ピークAC／DCB、C接続_DC）
• 出力側_連続負荷電流_B接続：3.5 A（A接続_ピークAC／DCB、C接続_DC）
• 出力側_連続負荷電流_C接続：7 A（A接続_ピークAC／DCB、C接続_DC）
• 出力側_オン電流低減率_A接続：-35 mA／℃（Ta≧25℃）
• 出力側_オン電流低減率_B接続：-35 mA／℃（Ta≧25℃）
• 出力側_オン電流低減率_C接続：-70 mA／℃（Ta≧25℃）
• 出力側_パルスオン電流：10.5 A（t=100ms、Duty=1／10）
• 出力側_接合部温度：125 ℃
• 入出力間耐電圧：2,500 Vrms（AC1分間）
• 使用周囲温度：-40～+110 ℃（氷結・結露のないこと）
• 保管温度：-55～+125 ℃（氷結・結露のないこと）
• はんだ付け温度条件：260 ℃（10s）
• 入力側_LED順電圧_最小：1.5 V（IF=10mA）
• 入力側_LED順電圧_標準：1.64 V（IF=10mA）
• 入力側_LED順電圧_最大：1.8 V（IF=10mA）
• 入力側_逆電流_最大：10 μA（VR=5V）
• 入力側_端子間容量_標準：70 pF（V=0、f=1MHz）
• 入力側_トリガLED順電流_標準：0.2 mA（Io=1A）
• 入力側_トリガLED順電流_最大：3 mA（Io=1A）
• 入力側_復帰LED順電流_最小：0.01 mA（IOFF=10μA）
• 出力側_最大出力オン抵抗_A接続_標準：50 mΩ（形G3VM-31BR／31ER／61BR2／61ER2／101BR1／101ER1_IF=5mA、Io=3A、t＜1s）
• 出力側_最大出力オン抵抗_A接続_最大：80 mΩ（形G3VM-31BR／31ER／61BR2／61ER2／101BR1／101ER1_IF=5mA、Io=3A、t＜1s）
• 出力側_最大出力オン抵抗_B接続_標準：24 mΩ（形G3VM-101BR1／101ER1_IF=5mA、Io=3.5A、t＜1s）
• 出力側_最大出力オン抵抗_C接続_標準：12 mΩ（形G3VM-101BR1／101ER1_IF=5mA、Io=7A、t＜1s）
• 出力側_開路時漏れ電流_標準：0.01 nA（VOFF=負荷電圧定格値）
• 出力側_開路時漏れ電流_最大：1 nA（VOFF=負荷電圧定格値）
• 出力側_端子間容量_標準：450 pF（V=0、f=1MHz）
• 入出力間容量_標準：0.8 pF（f=1MHz、Vs=0V）
• 入出力間容量絶縁抵抗_最小：1000 MΩ（VI-O=500VDC、RoH≦60％）
• 入出力間容量絶縁抵抗_標準：108 MΩ（VI-O=500VDC、RoH≦60％）
• 動作時間_標準：0.8 ms（IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V *）
• 動作時間_最大：5 ms（IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V *）
• 復帰時間_標準：0.1 ms（IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V *）
• 復帰時間_最大：0.5 ms（IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V *）
• 負荷電圧（ピークAC／DC）_最大：80 V
• 動作LED順電流_最小：5 mA
• 動作LED順電流_標準：10 mA
• 動作LED順電流_最大：25 mA
• 連続負荷電流（ピークAC／DC）_最大：3.5 A
• 動作温度_最小：-40 ℃
• 動作温度_最大：85 ℃