54-7543-69　2インチC膜（1000nm）付ウェハ 72枚 シリコンウェハ スパッタ成膜

特徴

• 均一で高密着なスパッタ成膜を実現した高品質基板。
• 研究・評価用途に適した高精度スパッタ成膜基板。

仕様

• ＜シリコンウェハ仕様＞
• サイズ（mm）：50.0±0.5mm
• ウェハー厚（μm）：280±25μm
• 導電型：P型
• 面方位：100
• 抵抗値（Ω・cm）：1～100
• 面状態：ミラー／エッチド
• TTV（μm）：≦15
• ＜成膜内容＞
• 1層目：C膜：1000nm±10％
• ※特注対応品
• 120種類以上のターゲットを保有。メタル、貴金属、合金材、酸化物、窒化物、炭化物など、ご要望の薄膜加工品を提供します。（Al、Ti、Cr、Mo、W、Ta、Si、DLC、Au、Ir、Ru、Pd、Pt、AlSi、AlSiCu、AlCu、NiFe、SiO2、ITO、IZO、AZO、ZnO、PZT、Si3N4、TiN、SiC etc）
• 基板サイズ φ2"～φ300、角型基板、特殊形状（立体等）も対応可能。Si、ガラス、金属、フィルム、有機物、樹脂基板（PMMA、COP、PC、PET、etc.）等 様々な材質への成膜実績があります。
• 1枚の加工から、100枚単位の量産まで対応可能です。
• 蒸着、CVD法、PLD法による成膜も可能です。（TEOS、SiO2、SiN、Poly-Si、a-Si、PZT、etc）
• ※特注対応での受注の場合は別途調整が必要になります。
• 荷姿サイズ：195×210×195mm　2.00kg [荷姿サイズについて]

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