特徴
- 均一で高密着なスパッタ成膜を実現した高品質基板。
- 研究・評価用途に適した高精度スパッタ成膜基板。
仕様
- <シリコンウェハ仕様>
- サイズ(mm):50.0±0.5mm
- ウェハー厚(μm):280±25μm
- 導電型:P型
- 面方位:100
- 抵抗値(Ω・cm):1~100
- 面状態:ミラー/エッチド
- TTV(μm):≦15
- <成膜内容>
- 1層目:Al2O3膜:800nm±10%
- ※特注対応品
- 120種類以上のターゲットを保有。メタル、貴金属、合金材、酸化物、窒化物、炭化物など、ご要望の薄膜加工品を提供します。(Al、Ti、Cr、Mo、W、Ta、Si、DLC、Au、Ir、Ru、Pd、Pt、AlSi、AlSiCu、AlCu、NiFe、SiO2、ITO、IZO、AZO、ZnO、PZT、Si3N4、TiN、SiC etc)
- 基板サイズ φ2"~φ300、角型基板、特殊形状(立体等)も対応可能。Si、ガラス、金属、フィルム、有機物、樹脂基板(PMMA、COP、PC、PET、etc.)等 様々な材質への成膜実績があります。
- 1枚の加工から、100枚単位の量産まで対応可能です。
- 蒸着、CVD法、PLD法による成膜も可能です。(TEOS、SiO2、SiN、Poly-Si、a-Si、PZT、etc)
- ※特注対応での受注の場合は別途調整が必要になります。
- 荷姿サイズ:195×210×195mm 2.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション (サイズ違い・スペック違い・オプション品など)
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
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