54-7524-13　4インチMo膜（800nm）付ウェハ 24枚 シリコンウェハ スパッタ成膜

仕様

• ＜シリコンウェハ仕様＞
• サイズ（mm）：100.±0.5mm
• ウェハー厚（μm）：525±25μm
• 導電型：P型
• 面方位：100
• 抵抗値（Ω・cm）：1～100
• 面状態：ミラー／エッチド
• オリフラ長さ：32.5±2.5mm
• TTV（μm）：≦15
• ＜成膜内容＞
• 1層目：Mo膜：800nm±10％
• ※特注対応品
• 120種類以上のターゲットを保有。メタル、貴金属、合金材、酸化物、窒化物、炭化物など、ご要望の薄膜加工品を提供します（Al、Ti、Cr、Mo、W、Ta、Si、DLC、Au、Ir、Ru、Pd、Pt、AlSi、AlSiCu、AlCu、NiFe、SiO2、ITO、IZO、AZO、ZnO、PZT、Si3N4、TiN、SiC etc）
• 基板サイズ φ2"～φ300、角型基板、特殊形状（立体等）も対応可能。Si、ガラス、金属、フィルム、有機物、樹脂基板（PMMA、COP、PC、PET、etc.）等 様々な材質への成膜実績があります。
• 1枚の加工から、100枚単位の量産まで対応可能です。
• 蒸着、CVD法、PLD法による成膜も可能です。（TEOS、SiO2、SiN、Poly-Si、a-Si、PZT、etc）
• ※特注対応での受注の場合は別途調整が必要になります。
• 荷姿サイズ：195×210×195mm　2.00kg [荷姿サイズについて]