特徴
- 均一で高密着なスパッタ成膜を実現した高品質基板。
- 研究・評価用途に適した高精度スパッタ成膜基板。
仕様
- ＜シリコンウェハ仕様＞
- サイズ（mm）：100.±0.5mm
- ウェハー厚（μm）：525±25μm
- 導電型：P型
- 面方位：100
- 抵抗値（Ω・cm）：1～100
- 面状態：ミラー／エッチド
- オリフラ長さ：32.5±2.5mm
- TTV（μm）：≦15
- ＜成膜内容＞
- 1層目：TiN膜：400nm±10％
- ※特注対応品
- 120種類以上のターゲットを保有。メタル、貴金属、合金材、酸化物、窒化物、炭化物など、ご要望の薄膜加工品を提供します（Al、Ti、Cr、Mo、W、Ta、Si、DLC、Au、Ir、Ru、Pd、Pt、AlSi、AlSiCu、AlCu、NiFe、SiO2、ITO、IZO、AZO、ZnO、PZT、Si3N4、TiN、SiC etc）
- 基板サイズ φ2"～φ300、角型基板、特殊形状（立体等）も対応可能。Si、ガラス、金属、フィルム、有機物、樹脂基板（PMMA、COP、PC、PET、etc.）等 様々な材質への成膜実績があります。
- 1枚の加工から、100枚単位の量産まで対応可能です。
- 蒸着、CVD法、PLD法による成膜も可能です。（TEOS、SiO2、SiN、Poly-Si、a-Si、PZT、etc）
- ※特注対応での受注の場合は別途調整が必要になります。
- 荷姿サイズ：195×210×195mm 2.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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