54-7481-21 単結晶基板 Si基板 ノンドープ 片面鏡面 方位（111）φ4inch×525μm 1箱（10枚入） Si-un-111-S-〇4in-10
[Crystal Base Co., Ltd.]
特徴
- 研究用半導体基板になります。
仕様
- サイズ：φ4inch×525μm
- タイプ：ノンドープ
- 抵抗率：1000Ω・cm以上
- 方位：（111）±1°
- 面内方位：[1-10] オリフラ付
- 研磨：片面鏡面
- サイズ精度：100±0.5mm
- 厚み精度：525±25μm
- 梱包形態：枚葉ケース
- 備考：その他のタイプ、抵抗率、方位、成膜加工も承っております。
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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54-7481-20
単結晶基板 Si基板 ノンドープ 片面鏡面 方位（111）φ4inch×525μm 1箱（5枚入）
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54-7481-21
単結晶基板 Si基板 ノンドープ 片面鏡面 方位（111）φ4inch×525μm 1箱（10枚入）
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54-7481-16
単結晶基板 Si基板 ノンドープ 片面鏡面 方位（100）φ4inch×525μm
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54-7481-17
単結晶基板 Si基板 ノンドープ 片面鏡面 方位（100）φ4inch×525μm 1箱（5枚入）
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54-7481-19
単結晶基板 Si基板 ノンドープ 片面鏡面 方位（111）φ4inch×525μm
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54-7481-18
単結晶基板 Si基板 ノンドープ 片面鏡面 方位（100）φ4inch×525μm 1箱（10枚入）
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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