特徴
- 一般的なMOSプロセスや微細加工用途に適しています。
仕様
- 4インチ P 型（100）Si ⽚⾯ミラーウェハ
- 製法：CZ
- 導電型：P
- ドーパント：Boron
- 結晶軸：（100）
- 直径：100.0 ± 0.5 mm
- 抵抗率：1 ∼ 5 Ω・cm
- 厚さ：525 ± 15 um
- 表⾯：ミラー
- 裏⾯：エッチ
- OF：（110）、32.5 ± 2.5 mm
- CF：無
- パーティクル：0.2 um 以上 30 個以下
- 荷姿サイズ：220×280×390mm 2.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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54-2139-33
4インチシリコンウェハ P 型・100（片面ミラー）1箱（25枚入）
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54-2139-34
4インチシリコンウェハ P 型・110（片面ミラー）1箱（25枚入）
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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