4-2135-11 4H-SiC基板（4H-N） 10×10×0.5mm （0001） 両面鏡面 1枚入 4HSiC-N-0001-D-□10-1
[Crystal Base Co., Ltd.] SiC Substrate 4H-SiC
特徴
- 研究用半導体基板になります。
仕様
- サイズ ： 10×10×0.5mm
- タイプ ： 4H-N
- ドープ ： Nドープ
- 抵抗率 ： 0.015～0.028Ω・cm
- マイクロパイプ数 ： 10個/cm2以下
- 方位 ： （0001）on-axis ±0.5°
- 面内方位 ： [11-20][-1100] オリフラ付
- 研磨 ： Si面：CMP Ra≦0.2cm C面：CMP Ra≦0.5nm
- 入数：1枚
- 荷姿サイズ ： 125×80×30mm 0.07kg
- 荷姿サイズ：125×80×30mm 0.07kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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4-2135-12
4H-SiC基板（4H-N） 10×10×0.5mm （0001） 両面鏡面 5枚入
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4-2135-11
4H-SiC基板（4H-N） 10×10×0.5mm （0001） 両面鏡面 1枚入
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4-2135-13
4H-SiC基板（4H-N） 10×10×0.5mm （0001） 両面鏡面 10枚入
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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