仕様
- タイプ：Nタイプ（Si-doped）
- 比抵抗：＜0.05Ω・cm
- チップサイズ：10×10.5mm
- 厚さ：350±25μm
- 有効面積：90％以上
- 面方位：C-plane（0001）off angle toward M-AXIS0.35°±0.15°
- 表面：Epi-readyポリッシュ仕上げ
- 裏面：Fine ground仕上げ
- 荷姿サイズ：225×170×80mm 1.00kg [荷姿サイズについて]
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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4-1360-01
GaN基板 自立基板チップ型 Nタイプ（Un-doped）1箱（2枚入）
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4-1360-03
GaN基板 自立基板チップ型 半絶縁性 1箱（2枚入）
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4-1360-02
GaN基板 自立基板チップ型 Nタイプ（Si-doped） 1箱（2枚入）
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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